Entwicklung SiC-Gapschalter
- Buyer
- GSI Helmholtzzentrum für Schwerionenforschung GmbH
- Published
- July 27, 2025
- Deadline
- August 18, 2025
Description
Entwicklung und der Fertigung zweier schneller Halbleiter-Gapschalter auf Basis von Siliziumcarbid-Technologie (SiC), Ihr Einsatzgebiet ist das Kurzschließen von Hochfrequenzkavitäten in den Synchrotron- und Speicherringen bei GSI und FAIR für die Impedanzreduktion während des Strahlbetriebs mit hohen Intensitäten
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